SK하이닉스, 中 공장 딜레마···구형공정 중심에 ‘피해 막심’

 

 

 

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SK하이닉스, 中 공장 딜레마···구형공정 중심에 ‘피해 막심’

 

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범용 메모리 위주 운영 뒤 中 철수 관측
“생산량 많아 출혈 심해···D램 고민 더 클 것”

SK하이닉스 중국 반도체 생산시설 현황. /자료=SK하이닉스, 표=정승아 디자이너

[시사저널e=이호길 기자] SK하이닉스가 중국 메모리 반도체 공장을 저수익 제품 중심으로 운영할 전망이다. 미국 행정부 제재로 첨단 반도체 장비의 중국 반입이 어려운 만큼 현지 공장에서 기술적 수준이 높지 않은 반도체를 양산할 계획이다. 중국 공장은 D램 생산의 40%, 낸드플래시 20%를 차지할 정도로 물량이 많다. 첨단 공정과 기술 격차가 큰 제품을 생산하게 되면 메모리 시황에 불어나는 손실이 더욱 커질 것이란 관측이다.

17일 반도체업계에 따르면 SK하이닉스 중국 공장은 범용 제품 위주의 중저가 메모리 생산으로 가닥을 잡은 것으로 알려졌다. 중국 내수 시장에 필요한 범용 반도체 수요는 꾸준한 데다 장비 반입도 녹록지 않은 현실적 판단이 작용했단 분석이다. 미국 상무부는 지난해 10월 중국의 첨단 반도체 생산을 막기 위해 18나노미터(nm) 이하 D램, 128단 이상 낸드플래시 장비 등의 중국 수출을 사실상 금지했다.

현지에 생산 시설을 두고 있는 삼성전자와 SK하이닉스는 수출 통제 1년 유예 조치를 받았으나 올해 10월부터 장비 조달이 어려워질 전망이다. 미국 반도체지원법상 가드레일(안전장치) 조항의 중국 반도체 생산력 확장 규제가 양적인 증산으로 규정됐지만, 장비 반입 제재로 기술 업그레이드가 제한될 경우 첨단 반도체 공정은 어려워진다.

SK하이닉스는 중국 공장은 우시의 D램 공장에서 10나노 중후반, 인텔로부터 인수한 다롄의 낸드플래시 공장에서 96단·144단 낸드를 양산 중이다. D램은 미세공정이 적용된 12나노, 낸드는 수직 적층 기술을 활용한 200단 이상 제품이 최선단 공정이란 점에서 격차가 크다.

SK하이닉스 우시 공장. /사진=SK하이닉스

반도체업계는 SK하이닉스가 중국 공장에서 구형 공정의 범용 제품 중심으로 생산을 이어가면서 점차 철수 수순을 밟을 것으로 예상한다. 회사는 중장기 수요 대응과 제조 거점 다변화를 위해 미국에 패키징 시설 건립을 추진 중이고, 용인에는 120조원을 투자해 차세대 메모리 생산 기지를 구축한다.

반도체 업계 관계자는 “SK하이닉스가 중국 공장을 안정적으로 운영하려면 첨단장비 반입 유예 조치를 추가적으로 받아야 해 난관이 많다”며 “당장 가동을 중단하면 손실이 크고 전 세계적인 공급망 문제도 발생할 수 있기 때문에 시간을 길게 두고 철수하는 방향으로 갈 것으로 본다”고 말했다.

중국 공장의 기술 난도가 낮은 저수익 위주의 메모리 생산은 손실로 이어질 것으로 점쳐진다. 물량 비중이 높은 데다 원가 효율화가 어려워져 생산성이 뒤처지기 때문이다. SK하이닉스는 메모리 전체 생산량 중 D램의 40%를 우시 공장, 낸드의 20%를 다롄 공장에서 생산한다.

반도체 업계 관계자는 “공정 고도화가 이뤄지지 않으면 중국 생산량이 워낙 많아 출혈이 심할 것”이라며 “특히 D램은 식각 공정과 극자외선(EUV) 등 걸리는 장비가 많고, 낸드보다 설계 난도도 높아 고민이 더 많을 것”이라고 말했다.

SK하이닉스는 중국 공장의 반도체 장비 수출 유예 조치 추가 연장을 위해 총력 대응에 나서고 있다. 산업통상자원부 등 정부 당국과 협의를 이어나가는 한편 고위 임원들이 미국을 찾아 행정부에 장비 반입 추가 유예 조치를 요청한 것으로 전해졌다. 최태원 SK그룹 회장도 이달 말로 예정된 윤석열 대통령의 미국 국빈 방문 때 경제사절단으로 동행해 미국 정·재계 인사들과 반도체지원법 세부 지침 등을 논의할 전망이다.

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